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龍圖騰網(wǎng)恭喜索尼半導(dǎo)體解決方案公司申請的專利成像元件以及成像元件的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113169200B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980078837.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)成像元件以及成像元件的制造方法是由田中良和;大場宣幸;中食慎太郎;狹山征博;大久保幸香;西山翼;西木戶健樹;萩原洋右設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-11-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本成像元件以及成像元件的制造方法在說明書摘要公布了：當(dāng)像素微細(xì)化時(shí)，本發(fā)明也容易形成遮擋來自相鄰像素的入射光的遮光體。一種成像元件設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換單元、絕緣膜、入射光透射膜和遮光體。光電轉(zhuǎn)換單元形成在半導(dǎo)體基板中以對來自被攝體的入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，并且設(shè)置在多個(gè)像素上。絕緣膜布置在多個(gè)像素中以使半導(dǎo)體基板絕緣。入射光透射膜與多個(gè)像素的絕緣膜相鄰設(shè)置以透射入射光。遮光體布置在形成在多個(gè)像素中的每個(gè)像素的外周邊緣上的入射光透射膜中的凹槽中以遮擋入射光。

本發(fā)明授權(quán)成像元件以及成像元件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種成像元件，包括：多個(gè)像素，所述多個(gè)像素通過以二維格子圖案布置來形成像素陣列單元，在所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素中布置有形成在半導(dǎo)體基板中并對來自被攝體的入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換單元，所述像素包括布置在所述像素陣列單元的外周邊緣上并且遮擋所述入射光的遮光像素和用于通過對來自所述被攝體的所述入射光進(jìn)行光瞳分割來檢測相位差的相位差像素；絕緣膜，其布置在所述多個(gè)像素上并且使所述半導(dǎo)體基板絕緣；入射光透射膜，其與所述多個(gè)像素的所述絕緣膜相鄰布置且直接接觸并透射入射光，其中所述入射光透射膜形成為一層；遮光體，其布置在形成在所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素的外周邊緣上的所述入射光透射膜中的凹槽中并遮擋所述入射光，其中所述遮光體貫通所述入射光透射膜；和遮光膜，其與所述入射光透射膜相鄰布置并遮擋所述入射光，其中所述遮光膜布置在所述入射光透射膜的光入射側(cè)，并且所述遮光膜僅形成在所述遮光像素和所述相位差像素中，而未形成在除了所述遮光像素和所述相位差像素之外的所述像素中。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人索尼半導(dǎo)體解決方案公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。