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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112951766B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201911270198.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由蘇博;王彥;紀(jì)世良;張海洋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)表面具有若干相互分立的鰭部，所述鰭部上具有第一功函數(shù)層和位于所述第一功函數(shù)層表面的第二功函數(shù)層，且所述第一功函數(shù)層覆蓋鰭部的頂部表面和側(cè)壁表面；在所述第二功函數(shù)層上形成保護(hù)層；形成保護(hù)層之后，在所述基底和鰭部上形成掩膜材料層；去除第一區(qū)上的掩膜材料層，形成掩膜結(jié)構(gòu)；以所述掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，去除第一區(qū)上的第二功函數(shù)層和保護(hù)層。所述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能較好。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)表面具有若干相互分立的鰭部，所述鰭部上具有第一功函數(shù)層和位于所述第一功函數(shù)層表面的第二功函數(shù)層，且所述第一功函數(shù)層覆蓋鰭部的頂部表面和側(cè)壁表面；在所述第二功函數(shù)層上形成保護(hù)層；形成保護(hù)層之后，在所述基底和鰭部上形成掩膜材料層；去除第一區(qū)上的掩膜材料層，形成掩膜結(jié)構(gòu)；以所述掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，去除第一區(qū)上的第二功函數(shù)層和保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層的形成方法包括：采用快速旋涂工藝在所述第二功函數(shù)層表面形成保護(hù)膜；采用退火工藝處理所述保護(hù)膜，在所述第二功函數(shù)層表面形成所述保護(hù)層；所述保護(hù)膜的材料為含有ZrOx的混合物；所述第二功函數(shù)層的材料具有第一密度，所述保護(hù)層的材料具有第二密度，且所述第二密度大于第一密度；所述保護(hù)膜中ZrOx的濃度為第一濃度，所述保護(hù)層中的ZrOx的濃度為第二濃度，且所述第一濃度小于第二濃度。

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