恭喜臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司陳正龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利橫向擴散的MOSFET及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114078969B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011083543.6，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權橫向擴散的MOSFET及其制造方法是由陳正龍設計研發完成，并于2020-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本橫向擴散的MOSFET及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及橫向擴散的MOSFET及其制造方法。一種半導體器件包括具有第一導電類型的第一半導體區域和具有第二導電類型的第二半導體區域、第二半導體區域中的源極區域和體接觸區域。該半導體器件還包括在第二半導體區域中，橫向位于源極區域和第一半導體區域之間的溝道區域、覆蓋于溝道區域和第一半導體區域的一部分兩者之上的柵極電介質層以及覆蓋于柵極電介質層之上的柵極電極。半導體器件還包括覆蓋體接觸區域的上表面和源極區域的側表面的共形導電層。
本發明授權橫向擴散的MOSFET及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：第一半導體區域，所述第一半導體區域具有第一導電類型；第二半導體區域，所述第二半導體區域具有第二導電類型；源極區域，所述源極區域在所述第二半導體區域中；溝道區域，所述溝道區域在所述第二半導體區域中，橫向位于所述源極區域和所述第一半導體區域之間；柵極電介質層，所述柵極電介質層覆蓋于所述溝道區域和所述第一半導體區域的一部分兩者之上；柵極電極，所述柵極電極覆蓋于所述柵極電介質層之上；體接觸區域，所述體接觸區域在所述第二半導體區域中；以及共形導電層，所述共形導電層覆蓋所述體接觸區域的上表面和所述源極區域的第一側表面，其中，所述源極區域覆蓋于所述體接觸區域之上，所述源極區域具有垂直對準所述柵極電極的側面的第二側表面，所述體接觸區域具有垂直對準所述柵極電極的側面的第一側表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺積電(中國)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：201616 上海市松江區文翔路4000號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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