買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜安普萊西婭有限責任公司;X-FAB全球服務有限公司申請的專利具有混和型接觸的LDMOS及其他MOS晶體管的裝置及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114946035B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080077330.4，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權具有混和型接觸的LDMOS及其他MOS晶體管的裝置及方法是由B.托納;劉正超;G.M.多爾尼;W.R.小理查茲設計研發完成，并于2020-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有混和型接觸的LDMOS及其他MOS晶體管的裝置及方法在說明書摘要公布了：一種側向DMOS晶體管結構，其包括：具有第一摻雜劑極性的基板；具有該第一摻雜劑極性的主體區；源極區；具有第二摻雜劑極性的漂移區；漏極區；溝道區；該溝道區上方的柵極結構；該源極區中的具有該第二摻雜劑極性的混和型接觸注入物；及該源極區、該柵極結構及該漏極區中的每一者上或內的各別金屬接觸。該混和型接觸注入物及該金屬接觸一起形成界定第一、第二及第三電接面的混和型接觸。該第一接面為垂直地形成于源極金屬接觸與主體之間的肖特基接面。該第二接面為側向地形成于該源極金屬接觸與該混和型接觸注入物之間的歐姆接面。該第三接面為該混和型接觸注入物與該溝道區之間的整流PN接面。

本發明授權具有混和型接觸的LDMOS及其他MOS晶體管的裝置及方法在權利要求書中公布了：1.一種側向DMOS晶體管結構，其包含：a具有第一摻雜劑極性的基板；b具有第一摻雜劑極性的主體區；c主體分接頭，具有該第一摻雜劑極性，在該主體區內；d該主體區上或內的源極區；e具有第二摻雜劑極性的漂移區；f該漂移區上或內的漏極區；g該源極區與該漂移區之間的溝道區；h該溝道區上方的柵極結構，其中該柵極結構具有源極區側及漏極區側，柵極側壁間隔件結構是沿著該柵極結構在其該源極區側上安置；i該源極區中的具有該第二摻雜劑極性的混和型接觸注入物，其中該混和型接觸注入物的第一部分位于該柵極側壁間隔件結構的正下方；及j該源極區、該柵極結構、該主體分接頭及該漏極區中的每一者上或內的各別金屬接觸，其中該主體分接頭實現該金屬接觸與該主體區之間的歐姆連接；k其中該混和型接觸注入物與該源極區上或內的該金屬接觸組合以形成界定第一、第二及第三電接面的混和型接觸，其中該第一電接面為垂直地形成于源極金屬接觸與主體之間的肖特基接面，其中該第二電接面為側向地形成于該源極金屬接觸與該混和型接觸注入物之間的歐姆接面，且其中該第三電接面為該混和型接觸注入物與該溝道區之間的整流PN接面，為肖特基接面的該第一電接面的至少一部分在垂直方向上不重疊于該柵極側壁間隔件結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安普萊西婭有限責任公司;X-FAB全球服務有限公司，其通訊地址為：美國北卡羅來納州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。